Deposisi Film Tipis Konduktif Papan Sirkuit dengan Proses Sputtering PVD DC, Pelapisan Tembaga, Deposisi Au Sputtering
------ Kapasitas Besar, Desain Modul Fleksibel, Manufaktur Presisi.
Keuntungan Teknis:
Sistem DPC-RTAS1215+ Sputtering adalah versi upgrade dari model ASC1215 asli, sistem terbaru memiliki beberapa keunggulan:
Proses Efisien Lebih Tinggi:
1. Lapisan dua sisi tersedia dengan desain perlengkapan omset
2. Hingga 8 flensa katoda planar standar untuk berbagai sumber
3. Kapasitas besar hingga 2,2 ㎡ chip keramik per siklus
4. Sepenuhnya Otomatisasi, PLC + Layar Sentuh, sistem kontrol SATU sentuhan
Biaya Produksi Lebih Rendah:
1. Dilengkapi dengan 2 pompa molekul suspensi magnetik, waktu mulai cepat, perawatan gratis;
2. Daya pemanas maksimum;
3. Bentuk ruang oktagonal untuk penggunaan ruang yang optimal, hingga 8 sumber busur dan 4 katoda sputtering untuk pengendapan pelapis yang cepat
Proses DPC- Direct Plating Copper adalah teknologi pelapisan canggih yang diterapkan dengan LED dan semikonduktor di industri elektronik.Salah satu aplikasi tipikal adalah Ceramic Radiating Substrat.Deposisi film konduktif tembaga pada Aluminium Oksida (Al2O3), substrat AlN dengan teknologi sputtering vakum PVD, memiliki satu keuntungan besar dibandingkan dengan metode manufaktur tradisional: DBC LTCC HTCC memiliki biaya produksi yang jauh lebih rendah.
Tim Royal Technology berkolaborasi dengan pelanggan kami untuk mengembangkan proses DPC yang berhasil menerapkan teknologi sputtering PVD.
Aplikasi DPC:
HBLED
Substrat untuk sel konsentrator surya
Pengemasan semikonduktor daya termasuk kontrol motor otomotif
Elektronik manajemen daya mobil hibrida dan listrik
Paket untuk RF
Perangkat gelombang mikro
Spesifikasi teknis
Keterangan | DPC-RTAS1215+ |
RuangTinggi (mm) | 1500 |
Diameter ruang (mm) | φ1200 |
Sputtering Cathodes Mounting Flange | 4 |
Flensa Pemasangan Sumber Ion | 1 |
Flange Pemasangan Katoda Busur | 8 |
Satelit (mm) | 16 xΦ150 |
Daya Bias Pulsa (KW) | 36 |
Daya Sputtering (KW) | DC36 + MF36 |
Daya Busur (KW) | 8x5 |
Daya Sumber Ion (KW) | 5 |
Daya Pemanasan (KW) | 36 |
Tinggi Lapisan Efektif (mm) | 1020 |
Pompa Molekul Suspensi Magnetik | 2 x 3300 L/S |
Pompa Akar | 1 x 1000m³/jam |
Pompa Baling Putar | 1 x 300m³/jam |
Memegang Pompa | 1x60m³/jam |
Kapasitas | 2.2㎡ |
Area Pemasangan ( P x L x T) mm | 4200*6000*3500 |
HMI + Sistem Operasi Layar Sentuh
Silakan hubungi kami untuk spesifikasi lebih lanjut, Royal Technology merasa terhormat untuk memberikan Anda solusi pelapisan total.